[发明专利]一种SrCuSi4O10二维晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201510514948.3 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105129808A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 郭强兵;刘小峰;邱建荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B33/20 | 分类号： | C01B33/20 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SrCuSi4O10二维晶体及其制备方法。其分子主要是由Sr、Cu、Si、O元素以1:1:4:10的摩尔配比组成，其晶体是二维层状单晶；使用酸溶液剥离SrCuSi4O10三维晶体，制备得到SrCuSi4O10二维晶体；具体是将SrCuSi4O10晶体加入酸溶液中，水浴中超声处理，然后静置；取上层清液，进行离心处理，再用去离子水清洗，得到二维层状SrCuSi4O10晶体。本发明的制备方法具有简单、高效、成本低、利于大规模制备的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 srcusi sub 10 二维 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SrCuSi4O10二维晶体，其特征是：其分子主要是由Sr、Cu、Si、O原子以1:1:4:10的摩尔配比组成。
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