[发明专利]一种粉末衍射择优取向参数确定方法

摘要

本发明涉及一种粉末衍射择优取向参数确定方法，本发明以粉末样品定向压实时产生择优取向为模型，确定择优取向函数，利用所确定的函数计算每个晶面的择优取向函数值；然后根据每个晶面的择优取向函数值得到晶体结构的计算谱图；比较计算谱图与实际谱图之间的误差，调整所设定的择优取向分布参数，直至误差小于设定值或不再减小，以调整后的择优取向分布参数作为该晶体的择优取向分布参数；最后利用该分布参数计算得到的择优取向值即为本发明所要确定的择优取向。本发明充分考虑了衍射强度与晶面取向分布概率成正比和受择优取向影响的总体衍射强度恒定个因素，所确定的择优取向函数更加符合粉末衍射的实际情况，所得到的择优取向也更加精准。

主权项

一种粉末衍射择优取向确定方法，其特征在于，该确定方法包括以下步骤：1)测量某种晶体的单相衍射谱图，根据该衍射谱图确定晶体的结构；2)根据晶体的结构分别计算晶体每个晶面与衍射面的夹角；3)以粉末样品定向压实时产生择优取向为模型，确定择优取向函数，利用该函数和每个晶面与衍射面的夹角以及设定的择优取向分布参数计算每个晶面的择优取向函数值P，P＝1/(Gcos2(a)+sin2(a)/G)其中G为择优取向分布状态，0<G≤1，a为压实后晶面与衍射面的夹角；4)根据每个晶面的择优取向函数值P得到晶体结构的计算谱图；5)计算谱图与实际谱图之间的误差，判断误差是否小于设定值，若小于设定值，以此时所选定的择优取向分布参数作为该晶体的择优取向分布参数；6)调整所设定的择优取向分布参数，重复步骤3)‑5)，直至误差小于设定值，以调整后的择优取向分布参数作为该晶体的择优取向分布参数；7)以晶体的择优取向分布参数计算晶体衍射择优取向，该结果即为所要确定的择优取向值。