[发明专利]瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201510516444.5 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105186478B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,高青 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端，包括彼此串联连接的容性二极管组件和第一齐纳二极管，其中，容性二极管组件包括在同一个半导体芯片中形成且所述半导体芯片内反向并联连接的第一二极管和第二二极管。该瞬态电压抑制器采用容性二极管组件作为无极性的电容元件，从而提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制器 | ||
【主权项】：
一种瞬态电压抑制器，所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端，包括：彼此串联连接的容性二极管组件和第一齐纳二极管，所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；第一导电类型的隔离区，从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中，从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区，并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开；第一导电类型的第一掺杂区，在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；第二导电类型的第二掺杂区，在第二有源区从外延层表面延伸至外延层中；以及互连结构，将隔离区和外延层位于第一有源区的部分彼此电连接，其中，所述第一二极管和所述第二二极管反向并联连接。
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