[发明专利]芯片集成方法

摘要

本发明提供一种芯片集成方法，适用于集成音叉石英陀螺芯片和ASIC芯片，包括S1，提供一基板，将所述基板制作为含预设规格外形与内腔的LTCC基板；S2，接着在所述ASIC芯片正面制作锡铅共晶焊料凸点；S3，将所述音叉石英陀螺芯片粘接在所述LTCC基板的内腔；S4，焊接所述音叉石英陀螺芯片的电极与所述基板之间的引线；S5，根据锡铅共晶焊料凸点，倒扣焊接所述ASIC芯片与所述LTCC基板。在多层LTCC基板内腔集成音叉石英陀螺芯片、在ASIC芯片正面制作焊料凸点，将其倒扣在集成有音叉石英陀螺芯片的多层LTCC基板上，减小了整个系统的体积，提高了整个系统的集成度，满足了导航系统小型化、高集成度、轻型化的要求，解决了音叉石英陀螺芯片与ASIC芯片难异构集成的问题。

主权项

一种芯片集成方法，适用于集成音叉石英陀螺芯片和ASIC芯片，其特征在于，所述芯片集成方法至少包括：S1，提供一基板，将所述基板制作为含预设规格外形与内腔的LTCC基板；S2，接着在所述ASIC芯片正面制作锡铅共晶焊料凸点；S3，将所述音叉石英陀螺芯片粘接在所述LTCC基板的内腔；S4，焊接所述音叉石英陀螺芯片的电极与所述基板之间的引线；S5，根据锡铅共晶焊料凸点，倒扣焊接所述ASIC芯片与所述LTCC基板；其中，所述步骤S2中，在所述ASIC芯片正面制作直径为150～180um、高度为120～150um的锡铅共晶焊料凸点的步骤，进一步包括：S2.1，将8寸的ASIC圆片清洗后烘干，在圆片表面采用磁控溅射方法溅射一薄层铝铜，铝铜的厚度为1.2～1.5nm；S2.2，在含有铝铜的圆片表面涂覆负性光刻胶ell‑1130，厚度15～20μm，曝光、显影、光刻、腐蚀铝铜、去胶；S2.3，将去胶后的圆片表面涂覆介质层PI，厚度30～35μm，固化，再涂覆负性光刻胶ell‑1150，厚度30～35μm，曝光、显影、光刻，腐蚀介质层PI，去胶，露出做凸点和导带的窗口，使凸点窗口为200μm×200μm，导带窗口宽度为100～110μm；S2.4，将再次去胶的圆片表面先溅射钛钨，钛钨的厚度为再溅射铜，铜的厚度为涂覆正性光刻胶ep‑1040，厚度15～20μm，曝光、显影、光刻，留出导带窗口，电镀铜，采用甲苯、丙酮、乙醇清洗，烘干，在所述铜上电镀镍，去胶，制备成铜导带；S2.5，将电镀去胶后的圆片表面再涂覆正性光刻胶，型号ep‑1060，厚度80～90μm，曝光、显影、光刻，留出凸点窗口，电镀铅锡共晶焊料，去胶；S2.6，依次腐蚀圆片表面的铜和钛钨；S2.7，将腐蚀的钛钨、铜的圆片放入回流炉中进行回流，回流温度215～225℃，回流时间4～6min，锡铅共晶焊料凸台熔化形成锡铅共晶焊料球；S2.8，将回流后的圆片按照芯片版图形状进行晶圆切割，单个芯片的尺寸为6.6mm×6.6mm×0.3mm。