[发明专利]用于无孔隙钴间隙填充的方法在审
| 申请号： | 201510518752.1 | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105390438A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 罗郑硕;于天华;米卡尔·达内克;桑杰·戈皮纳特 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/205;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及无孔隙钴间隙填充的方法，本发明提供的方法将无孔隙钴沉积到具有高深宽比的特征中。方法涉及(a)用钴来部分填充特征，(b)将特征暴露至从含氮气体产生的等离子体，来选择性抑制在特征的顶部处或者其附近的表面的钴核化；可选地重复(a)和(b)；以及通过化学气相沉积将大量钴沉积到特征中。方法还可以涉及将包含阻挡层的特征暴露至从含氮气体产生的等离子体，以选择性抑制钴核化。方法可以在低于约400℃的低温下使用含钴前体来执行。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 孔隙 间隙 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供具有一个或一个以上的特征的衬底，每个特征包括特征开口；(b)在所述特征开口或者其附近的所述一个或一个以上的特征的表面选择性抑制钴核化，使得每个特征中有差分抑制轮廓；以及(c)依据所述差分抑制轮廓在所述特征中沉积钴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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