[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510521036.9 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105185836A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 林亮宇;郑君丞 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法，所述薄膜晶体管具有：基板、位于基板上表面的栅极、覆盖基板与栅极的绝缘层、源极、漏极与金属氧化物半导体层。其中源极与漏极位于绝缘层的上表面且两者位于第一轴线方向，源极和漏极是与栅极部分重叠，源极与漏极沿第二轴线方向延伸的距离为第一宽度，其中第二轴线方向垂直于第一轴线方向。金属氧化物半导体层位于源极与漏极的上表面，金属氧化物半导体层厚度不大于20纳米，金属氧化物半导体层沿第二轴线方向延伸的距离为第二宽度，且第二宽度大于第一宽度，并且金属氧化物半导体层在第二轴线方向完全覆盖源极与漏极。本发明能够提升薄膜晶体管的稳定度与信赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板，具有相互垂直的一第一轴线方向与一第二轴线方向；一栅极，位于该基板的上表面；一绝缘层，位于该栅极上；一源极与一漏极，位于该绝缘层的上表面且该源极与该漏极平行位于该第一轴线方向上，且该源极与该漏极于该基板上分别具有一正投影面，且两个该正投影面是与该栅极部分重叠；以及一金属氧化物半导体层，位于该源极与该漏极的上表面，该金属氧化物半导体层厚度不大于20纳米，其中该金属氧化物半导体层于该第二轴线方向上完全覆盖该源极与该漏极。
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