[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510522659.8 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105529316B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 谢东衡;庄惠中;林仲德;江庭玮;王胜雄;田丽钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：衬底，具有有源区域；第一栅极结构，位于衬底的顶面上方；第二栅极结构，位于衬底的顶面上方；一对第一间隔件，位于第一栅极结构的每一个侧壁上；一对第二间隔件，位于第二栅极结构的每一个侧壁上；绝缘层，至少位于第一栅极结构上方；第一导电部件，位于有源区域上方；以及第二导电部件，位于衬底上方。此外，第二栅极结构邻近第一栅极结构，第一导电部件的顶面与第二导电部件的顶面共面。本发明还提供了半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 半导体器件 导电部件 衬底 间隔件 源区域 侧壁 绝缘层 顶面共面 顶面 制造 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，具有有源区域；第一栅极结构，位于所述衬底的顶面上方；第二栅极结构，位于所述衬底的顶面上方，其中，所述第二栅极结构邻近所述第一栅极结构；一对第一间隔件，位于所述第一栅极结构的每一个侧壁上；一对第二间隔件，位于所述第二栅极结构的每一个侧壁上；绝缘层，至少位于所述第一栅极结构上方，所述绝缘层嵌在所述第一栅极结构的每一个侧壁上的所述一对第一间隔件之间；第一导电部件，位于所述有源区域上方；以及第二导电部件，位于所述衬底上方，其中，所述第一导电部件的顶面与所述第二导电部件的顶面共面。
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