[发明专利]一种采用TEOS源的低温镀膜方法

摘要

一种采用TEOS源的低温镀膜方法，主要为满足现有技术TSV在封装生产阶段，绝缘层的沉积温度需要小于200℃的需求，而提供一种等离子体增强化学气相沉积作为低温沉积绝缘层的方法。该方法是将基片传入真空反应腔，下电极通过热偶精确控制一个较低的温度，腔体在真空状态时开始通O₂及He达到设定压力，通气一段时间后向腔体通入已加热汽化的TEOS气体，开启射频电源，达到设定射频功率后，在电极间产生等离子体开始在基片表面沉积氧化硅薄膜。该方法是一种可在低温条件下，采用TEOS源制备出孔洞结构覆盖率高，电学性能优良的氧化硅薄膜，以满足TSV领域生产需求。

主权项

一种采用TEOS源的低温镀膜方法，其特征在于：该方法可在真空反应腔处于低温条件下，利用等离子体增强化学气相沉积法制备出孔洞结构覆盖率高，电学性能优良的氧化硅薄膜。