[发明专利]基片集成同轴波导互连阵列结构有效
申请号: | 201510524372.9 | 申请日: | 2015-08-24 |
公开(公告)号: | CN105226360B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 李晓春;邵妍;王宁;袁斌;毛军发 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01P3/18 | 分类号: | H01P3/18 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中;刘翠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种基片集成同轴波导互连阵列结构,包括至少一个单通道结构,内导体层设置于第一外导体层和第二外导体层之间;第一介质层设置于第一外导体层和内导体层之间,第二介质层设置于内导体层和第二外导体层之间;金属化通孔阵列纵向贯穿构纵向贯穿。第一外导体层、第二外导体层、金属化通孔阵列组成外导体,多个单通道结构在水平、垂直方向形成阵列,共享外导体。垂直方向相邻单通道结构共用同一层外导体层。水平方向相邻单通道结构共用同一列金属化通孔阵列。本发明用作电路板级/封装级/芯片级的互连电路,具有频带宽、时延串扰低、电磁兼容性能好的优点,适合于吉比特以上的高速数据多通道并行传输,并且在横向和纵向具有可扩展性。 | ||
搜索关键词: | 外导体层 单通道结构 金属化通孔阵列 内导体层 互连阵列 基片集成 同轴波导 纵向贯穿 介质层 外导体 电磁兼容性能 电路板 并行传输 高速数据 互连电路 可扩展性 多通道 同一层 同一列 芯片级 串扰 时延 封装 共享 | ||
【主权项】:
1.一种基片集成同轴波导互连阵列结构,其特征在于,采用准封闭式结构,基片集成同轴波导互连阵列结构的物理结构包括:至少一个单通道结构,所述单通道结构包括:第一外导体层、第一介质层、内导体层、第二介质层、第二外导体层以及金属化通孔阵列;其中:所述内导体层设置于第一外导体层和第二外导体层之间;所述第一介质层设置于第一外导体层和内导体层之间,所述第二介质层设置于内导体层和第二外导体层之间;所述单通道结构纵向贯穿设置有金属化通孔阵列;所述第一外导体层、第二外导体层以及金属化通孔阵列共同组成单通道结构的外导体;多个单通道结构在水平和垂直两个方向形成阵列,共享外导体;所述基片集成同轴波导互连阵列结构采用TEM模式传输信号,且能够同时并行传输多通道信号。
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