[发明专利]感应铟锡氧化物层的布线结构有效
| 申请号： | 201510524549.5 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105068704B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 游健超 | 申请（专利权）人： | 武汉精测电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种感应铟锡氧化物层的布线结构，它包括并排或并列布置的多个感应铟锡氧化物子单元，所述每个感应铟锡氧化物子单元均包括相互垂直的第一触控感应区和第二触控感应区；所述第一触控感应区和第二触控感应区均包括相互连通的第一触控感应子区和第二触控感应子区。本发明通过改变菱形ITO图形折射角的方式以降低光学折射导致图形显现的概率，同时采用大量独立ITO区块增强耦合电容减小阻抗，能大幅提高信噪比和悬空感应的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 感应 氧化物 布线 结构 | ||
【主权项】：
一种感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于：它包括并排或并列布置的多个感应铟锡氧化物子单元(1.1)，所述每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)均包括相互垂直的第一触控感应区(1.2)和第二触控感应区(1.3)；所述第一触控感应区(1.2)和第二触控感应区(1.3)均包括相互连通的第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)；所述第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)均包括相互对称的第一独立ITO区块(1.8)和第二独立ITO区块(1.9)；所述第一独立ITO区块(1.8)和第二独立ITO区块(1.9)均包括3个独立三角形ITO区块和1个独立菱形ITO区块。
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