[发明专利]用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料在审
| 申请号： | 201510524713.2 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105239162A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 夏长泰;赛青林;肖海林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B13/00;C01G15/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯;张宁展 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料，结构式为Ga2-2xAl2xO3，其中氧化铝掺杂摩尔比x为0-50％，及其制备方法。本发明保持了原有的氧化镓晶体结构，形成混晶，晶体具有很高的光学质量，无开裂，散射颗粒，气泡等缺陷，颜色均匀；通过掺杂，晶体的紫外吸收截止边延伸到210-255nm，是一种非常优良的深紫外衬底材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 宽禁带 半导体 氧化铝 氧化 镓混晶 材料 | ||
【主权项】：
一种用于宽禁带半导体的氧化铝‑氧化镓混晶材料，其特征在于：其结构式为Ga2‑2xAl2xO3，其中氧化铝掺杂摩尔比x为0‑50％。
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