[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供了一种制造半导体装置的方法和一种半导体装置，所述半导体装置具有第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的第三区，所述方法包括：形成分别从第一区和第二区中的基板突出的第一初始有源图案和第二初始有源图案；在基板上形成暴露第三区的掩模图案；利用掩模图案作为蚀刻掩模来执行第一蚀刻工艺以分别形成第一有源图案和第二有源图案；以及在基板上形成栅极结构。

主权项

一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的第三区，所述方法包括：提供横跨第一区、第二区和第三区的基板；在基板上形成第一初始有源图案和第二初始有源图案，使得第一初始有源图案和第二初始有源图案从基板突出，第一初始有源图案从第一区延伸到第三区中以与第三区中的基板叠置，第二初始有源图案从第二区延伸到第三区中，从而也与第三区中的基板叠置；在第一区和第二区中的基板上形成掩模图案，而不在第三区中形成掩模图案，从而使基板在第三区中暴露；利用掩模图案作为蚀刻掩模来执行包括蚀刻第一初始有源图案和第二初始有源图案的第一蚀刻工艺以分别由第一初始有源图案和第二初始有源图案形成第一有源图案和第二有源图案；以及在基板上形成栅极结构，所述栅极结构包括与第一有源图案交叉的第一栅极结构和与第二有源图案交叉的第二栅极结构，其中，第一有源图案在第一方向上纵向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开，第二有源图案沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此分隔开，第一方向跨过第一区、第二区和第三区延伸，第一有源图案中的相邻的第一有源图案之间在第二方向上的距离与第二有源图案中的相邻的第二有源图案之间在第二方向上的距离不同。