[发明专利]Cu‑Ga合金溅射靶有效
| 申请号： | 201510527545.2 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105525261B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 吉泽彰;卫藤雅俊 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 吕琳,杨生平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在进行高输出溅射作业时不发生异常放电的Cu‑Ga合金溅射靶。该溅射靶是由含有15at％以上且不足30at％的Ga，并且剩余部分由Cu以及不可避免的杂质构成的Cu‑Ga合金制成的溅射靶，其中，作为不可避免的杂质C的浓度为30质量ppm以下，作为不可避免的杂质O的浓度为50质量ppm以下，露出到该靶的溅射面的夹杂物中等效圆直径为20μm以上的夹杂物的个数密度为0.5个/mm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其由含有15at％以上且不足30at％的Ga，并且剩余部分由Cu以及不可避免的杂质构成的Cu‑Ga合金制成，其中，作为不可避免的杂质C的浓度为30质量ppm以下，作为不可避免的杂质O的浓度为50质量ppm以下，露出到该靶的溅射面的夹杂物中等效圆直径为20μm以上的夹杂物的个数密度为0.5个/mm2以下。
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