[发明专利]用于处理晶片状物件的方法和装置

摘要

本发明提供了用于处理晶片状物件的方法和装置。一种用于处理晶片状物件的装置，其包括：封闭处理室，所述封闭处理室提供气密封装。旋转卡盘位于所述封闭处理室内。加热器相对于所述卡盘定位以便仅从一侧加热保持在所述卡盘上的晶片状物件，而不接触所述晶片状物件。所述加热器发射波长在从390纳米至550纳米的范围内的具有最大强度的辐射。至少一个第一液体分配器相对于所述卡盘定位，以便将工艺液体分配到晶片状物件的与所述晶片状物件的面向所述加热器的一侧相反的一侧上。

主权项

1.一种用于处理晶片的装置，所述装置包括：处理室，所述处理室提供气密封装；位于所述处理室内并在所述晶片上方的旋转卡盘，其中所述旋转卡盘包括第一板，其中所述第一板位于所述晶片上方并且与所述旋转卡盘一起旋转，其中所述旋转卡盘适于保持所述晶片，并且其中所述第一板通过第一冷却流体冷却；加热器，其相对于所述旋转卡盘定位并且面向所述晶片的下表面，其中所述加热器被配置为加热所述晶片的所述下表面而不接触所述晶片其中所述加热器发射波长在390至550纳米之间的范围内的具有最大强度的辐射；其中，所述旋转卡盘将所述晶片保持在所述第一板和所述加热器之间，其中在所述晶片的上表面上没有设置加热器，并且其中所述晶片的所述上表面与所述下表面相反；以及第一液体分配器，其相对于所述卡盘定位并被配置为将工艺液体分配到所述晶片的所述上表面，其中，所述处理室包括在所述晶片的上方的上部区域和在所述晶片的下方的下部区域，所述第一液体分配器的出口被定位在所述上部区域内，所述加热器被定位在所述下部区域内，以及所述加热器不可旋转地安装在所述处理室内。