[发明专利]一种具有高介电性能的MOF薄膜材料及其制备与应用在审
| 申请号： | 201510530875.7 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105226085A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李伟金;曹荣;高水英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;C07F3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属-有机框架化合物薄膜的制备和用途。该薄膜材料采用电化学组装法，以自主设计的具有新颖结构的金属-有机框架化合物{[H2N(CH3)2][Zn(TBTC)]}·2DMF·EtOH为主体，在金属锌片表面上自组装MOF薄膜。该薄膜材料展现出了很好的介电性能，并且组装成薄膜以后具有很好的机械性能和绝缘性能以及较高的击穿电压，在电子器件材料尤其是栅极介电材料方面具有潜在应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高介电 性能 mof 薄膜 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
一种金属‑有机框架化合物薄膜，其特征在于，该薄膜由金属‑有机框架化合物{[H2N(CH3)2][Zn(TBTC)]}·2DMF·EtOH构成。
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