[发明专利]固态成像装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种固态成像装置及其制造方法。本发明的一个方式为一种固态成像装置，其具备：P型阱(12)；被形成在P型阱(12)中的N型低浓度扩散层(18)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的表面上的P型表面扩散层(16)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的侧面与P型阱(12)的边界处的P型高浓度阱(15)。

主权项

1.一种固态成像装置，其特征在于，具有：第一的第一导电型阱；第一的第二导电型扩散层，其被形成在所述第一的第一导电型阱中；第二的第二导电型扩散层，其被形成在所述第一的第一导电型阱中；第三的第二导电型扩散层，其被形成在所述第一的第一导电型阱中；第一电极，其隔着第一绝缘膜而被形成在所述第一的第一导电型阱的表面上；第二电极，其隔着第二绝缘膜而被形成在所述第一的第一导电型阱的表面上；第一导电型扩散层，其被形成在所述第一的第二导电型扩散层的表面上；第二的第一导电型阱，其被形成在所述第一的第二导电型扩散层的侧面与所述第一的第一导电型阱的边界处，所述第一的第二导电型扩散层通过所述第一电极而与所述第二的第二导电型扩散层连接，所述第一的第二导电型扩散层通过所述第二电极而与所述第三的第二导电型扩散层连接，在所述第一的第一导电型阱的表面上形成有位于所述第一电极与所述第二电极之间的元件分离膜，位于所述第一电极与所述第二电极之间的所述第一的第二导电型扩散层位于所述元件分离膜的相互之间，所述第二的第一导电型阱被形成在所述元件分离膜下方，所述第一导电型扩散层被形成在所述元件分离膜的元件区域侧。