[发明专利]一种褶皱状石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201510532088.6 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105060286B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;史晓华;张苗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种褶皱状石墨烯的制备方法，包括提供一催化基底，将所述催化基底放入生长腔室，往所述生长腔室通入碳源，并将所述催化基底加热至预设温度，在所述催化基底表面生长得到石墨烯；在非氧化性保护气氛下，调节降温速率，使所述石墨烯表面出现预设高度、宽度及密度的褶皱。本发明以催化基底例如半导体材料锗（体锗、绝缘体上锗、体硅上外延锗、三五族上外延锗等）为催化剂，通过气态或固态碳源在催化基底表面制备石墨烯，在非氧化性气氛保护下，调节降温速率(200℃/min‑1℃/min)，可以方便高效的控制制备的石墨烯表面褶皱的形貌（高度、宽度）及密度，制得的褶皱状石墨烯在传感器、柔性电子器件、生物等领域具有重要应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 褶皱 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种褶皱状石墨烯的制备方法，其特征在于，包括：提供一催化基底，将所述催化基底放入生长腔室，往所述生长腔室通入碳源，并将所述催化基底加热至预设温度，在所述催化基底表面生长得到石墨烯；在非氧化性保护气氛下，调节降温速率，使所述石墨烯表面出现预设高度、宽度及密度的褶皱；其中，将降温速率调节至大于100℃/min，得到平均褶皱高度大于1.5nm的褶皱状石墨烯；或者将降温速率调节至5～100℃/min，得到平均褶皱高度为0.8～1.5nm的褶皱状石墨烯；或者将降温速率调节至小于5℃/min，得到平均褶皱高度小于0.8nm的褶皱状石墨烯。
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