[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201510532154.X | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105470164A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 芦原洋司;大桥直史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法。使形成于衬底上的膜的特性提高，并且使制造生产率提高。收容衬底的处理室；第一处理气体供给部，向所述衬底供给第一处理气体；第二处理气体供给部，向所述衬底供给第二处理气体；气化器剩余量测量部，测量设置于所述第一处理气体供给部的气化器内的所述第一处理气体原料的剩余量；控制部，构成为根据所述气化器剩余量测量部测量的所述剩余量，变更供给所述第一处理气体和所述第二处理气体的循环数。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，具有：收容衬底的处理室；第一处理气体供给部，向所述衬底供给第一处理气体；第二处理气体供给部，向所述衬底供给第二处理气体；气化器剩余量测量部，测量设置于所述第一处理气体供给部的气化器内的所述第一处理气体原料的剩余量；控制部，其构成为根据所述气化器剩余量测量部测量的所述剩余量，变更供给所述第一处理气体和所述第二处理气体的循环数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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