[发明专利]纳米间隙的制备方法及其应用

摘要

本发明提供了一种纳米间隙的制备方法，通过在沉积第一金属薄膜的样品上进行光刻处理，得到部分光刻胶保护第一金属薄膜的样品，然后刻蚀除去未被光刻胶保护的第一金属，得到刻蚀后的样品，在刻蚀后的样品上沉积金属氧化物，得到沉积有金属氧化物的样品；对沉积有金属氧化物的样品中水平方向的金属氧化物刻蚀，得到去除水平方向金属氧化物的样品；在去除水平方向金属氧化物的样品上沉积第二金属，得到沉积第二金属薄膜的样品；将沉积第二金属薄膜的样品中的光刻胶、光刻胶上的金属薄膜以及金属氧化物去除，得到纳米间隙；实验结果表明，本发明提供的纳米间隙的制备方法，不仅具有寻址能力，而且纳米间隙的间隙宽度均一性好且成功率高。

主权项

一种纳米间隙的制备方法，包括：1)在沉积第一金属薄膜的样品中的金属薄膜上进行光刻处理，得到被部分光刻胶保护第一金属薄膜的样品；2)对得到的被部分光刻胶保护第一金属薄膜的样品中光刻胶未保护部分的第一金属进行刻蚀，得到刻蚀后的样品；3)在刻蚀后的样品上沉积金属氧化物，得到沉积有金属氧化物的样品；4)对沉积有金属氧化物的样品中水平方向沉积的金属氧化物刻蚀，得到去除了水平方向沉积的金属氧化物的样品；5)在去除了水平方向沉积的金属氧化物的样品上沉积第二金属，得到沉积第二金属薄膜的样品；6)将沉积第二金属薄膜的样品中的光刻胶、光刻胶上的第二金属薄膜以及金属氧化物去除，得到纳米间隙。