[发明专利]抗静电抑菌PC/PBT合金及其制备方法在审
| 申请号： | 201510532363.4 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105086409A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘春艳;王正友;刘艺;林珊珊 | 申请（专利权）人： | 上海中镭新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C08L69/00 | 分类号： | C08L69/00;C08L67/02;C08K9/10;C08K9/04;C08K9/02;C08K7/24;C08K5/134;C08J3/22;B29C47/92 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 201300 上海市浦东新区宣桥*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高分子材料领域的抗静电抑菌PC/PBT合金及其制备方法，通过将PC、PBT和MWCNT‐g‐SiC‐NH2‐g‐PBT母粒熔融共混得到，其中：MWCNT‐g‐SiC‐NH2‐g‐PBT母粒通过密炼接枝法将MWCNT‐g‐SiC‐NH2、DBTO和PBT接枝共聚得到。本发明制备的PC/PBT合金具有抗静电、抑菌、耐温和高硬耐磨特性，能够有效提升汽车安全性能，制备方法利于对挤出机等设备的保护，操作简便，适于工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 抗静电 pc pbt 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗静电抑菌PC/PBT合金的制备方法，其特征在于，通过将PC、PBT和MWCNT‐g‐SiC‐NH2‐g‐PBT母粒熔融共混得到，其中：MWCNT‐g‐SiC‐NH2‐g‐PBT母粒通过将MWCNT‐g‐SiC‐NH2、DBTO和PBT密炼接枝得到。
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