[发明专利]一种电路装置及制造方法有效
申请号: | 201510535388.X | 申请日: | 2015-08-27 |
公开(公告)号: | CN105355610B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 符会利;林志荣;蔡树杰 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L21/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种装置。该装置包括:电路器件、散热片及热界面材料层。热界面材料层与电路器件及散热片热耦合。热界面材料层包括:第一合金层、纳米金属颗粒层及第二合金层。第一合金层与电路器件热耦合。纳米金属颗粒层与第一合金层热耦合。纳米金属颗粒层包括纳米金属颗粒及中间混合物。 | ||
搜索关键词: | 一种 电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有高导热率的装置,其特征在于,包括:电路器件;散热片;及热界面材料层,与所述电路器件及所述散热片热耦合,包括:第一合金层,与所述电路器件热耦合;纳米金属颗粒层,与所述第一合金层的接触处形成烧结连续相结构,所述纳米金属颗粒层包括彼此成烧结连续相结构的多个纳米金属颗粒及中间混合物,所述中间混合物填充于所述多个纳米金属颗粒之间,所述中间混合物包括树脂;及第二合金层,与所述纳米金属颗粒层的接触处形成烧结连续相结构及与所述散热片热耦合。
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