[发明专利]一种干法转移银纳米线透明电极的方法

摘要

一种干法转移银纳米线透明电极的方法，向银纳米线透明电极上滴加PMMA胶至完全覆盖整个银纳米线透明电极，再旋涂获得厚度为0.2～1μm的PMMA包覆，刮掉基片四周边缘2mm宽度的区域，使得中间薄膜断开与边缘的连接，得到银纳米线/PMMA复合薄膜；转移复合薄膜到PDMS，剥离PDMS以及移除PMMA胶，实现银纳米线透明电极的转移。本发明可以实现大面积完全的转移银纳米线网络到不同性质的基底上，转移后的银纳米线透明电极的透光性有所增加，方阻降低，增加了透明电极的品质因数。PMMA辅助的PDMS转移银纳米线透明电极作为有机光电器件透明顶电极的可行性，避免直接成膜过程中银纳米线分散溶剂对有机薄膜造成的损坏。

主权项

一种干法转移银纳米线透明电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)银纳米线/PMMA复合物的制备：向银纳米线透明电极上滴加PMMA胶至完全覆盖整个银纳米线透明电极，然后旋涂获得厚度为0.2～0.5μm的PMMA包覆，接着刮掉基片四周边缘2mm宽度的区域，使得中间薄膜断开与边缘的连接，得到银纳米线/PMMA复合薄膜；2)转移复合薄膜到PDMS：将作为转移载体的PDMS压到银纳米线/PMMA复合薄膜的表面，使其与银纳米线/PMMA复合薄膜的表面完全贴合；向步骤1)中的中间薄膜一侧滴加水，然后从加水一侧的PDMS开始将其抬起，银纳米线/PMMA复合薄膜粘附在PDMS上且与基底剥离；3)剥离PDMS以及移除PMMA胶：首先，将步骤2)中粘附在PDMS的银纳米线/PMMA复合薄膜压到经过预热的目标基底上，同时使得银纳米线/PMMA复合薄膜与目标基底完全贴合；其中，目标基底为玻璃基底、硅片、PET或有机薄膜；经过预热的目标基底的温度为50～70℃；然后，待与目标基底完全贴合的银纳米线/PMMA复合薄膜受热均匀后，将PDMS从一个角掀起，使得银纳米线/PMMA复合薄膜完全停留到目标基底上；最后，去除PMMA胶，实现银纳米线透明电极的转移。