[发明专利]钝化膜的制备方法、太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种钝化膜的制备方法、太阳电池及其制备方法。钝化膜的制备方法包括在硅片的PN结和电极之间沉积厚度为1nm～10nm的钝化膜。太阳电池包括基底硅片、PN结和主栅电极，PN结位于基底硅片的前表面上，主栅电极设于PN结上，PN结和主栅电极之间设有一层厚度为1nm～10nm的钝化膜。其制备方法包括以下步骤：（1）制备PN结；（2）在PN结上的预设主栅位置处沉积厚度为1nm～10nm的钝化膜；（3）印刷电极浆料，烧结后得到太阳电池。本发明的太阳电池转换效率高，其制备方法可大幅度减少主栅处的表面复合速率，在保证短路电流和填充因子的基础上较大程度的提升开路电压，有效提高光电转换效率。

主权项

一种钝化膜的制备方法，包括以下步骤：在硅片的PN结和电极之间沉积钝化膜，所述钝化膜的厚度为1nm～10nm。