[发明专利]HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法。该制备方法包括（1）N型硅片清洗制绒；（2）去氧化层处理；（3）置于PECVD腔中先抽本底真空，然后加热升温、抽高真空，再通入沉积气体SiH₄与H₂，对N型硅片的正面进行a-Si:H薄膜的沉积，并将硅片翻面；（4）重复步骤（3）的过程，对N型硅片的反面进行a-Si:H薄膜的沉积，完成HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备。该制备方法能得到高钝化质量和低缺陷密度的a-Si:H薄膜，大幅度提高硅片表面质量，并有效的提高HIT电池的效率。

主权项

一种HIT电池用N型硅片a‑Si:H薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）将N型硅片清洗制绒；（2）将步骤（1）所得N型硅片进行去氧化层处理；（3）将步骤（2）所得N型硅片置于PECVD腔中，先抽本底真空，然后加热升温、抽高真空，再通入沉积气体SiH₄与H₂，调节沉积气压与射频功率密度，对N型硅片的正面进行a‑Si:H薄膜的沉积，沉积完后降温并将硅片翻面；（4）重复步骤（3）的过程，对N型硅片的反面进行a‑Si:H薄膜的沉积，沉积完成后降温取样，即得到HIT电池用N型硅片a‑Si:H薄膜。