[发明专利]应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明涉及一种应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法，该制备方法包括:选取GOI衬底；生长N型应变SiGe层和N型Si帽层；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽以划分出NMOS有源区和PMOS有源区；采用离子注入工艺在NMOS有源区表面注入P型离子形成P阱；光刻形成NMOS栅极区图形，采用离子束刻蚀工艺形成第一双梯形凹槽，光刻形成PMOS栅极区图形，采用离子束刻蚀工艺形成第二双梯形凹槽；生长氧化层以形成NMOS栅介质材料和PMOS栅介质材料；刻蚀NMOS栅介质材料采用离子注入工艺形成NMOS源漏区，刻蚀PMOS栅介质材料并采用离子注入工艺形成PMOS源漏区；生长栅极材料形成NMOS栅极和PMOS栅极；(i)金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件。

主权项

一种应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：(a)选取GOI衬底；(b)在所述GOI衬底上生长N型应变SiGe层和N型Si帽层；(c)在所述N型Si帽层表面采用刻蚀工艺形成隔离沟槽，以划分出NMOS有源区和PMOS有源区；(d)采用离子注入工艺在所述NMOS有源区表面注入P型离子形成P阱；(e)在所述NMOS有源区表面光刻形成NMOS栅极区图形，采用离子束刻蚀工艺形成第一双梯形凹槽，在所述PMOS有源区表面光刻形成PMOS栅极区图形，采用离子束刻蚀工艺形成第二双梯形凹槽；(f)在所述NMOS有源区和所述PMOS有源区表面生长氧化层以形成NMOS栅介质材料和PMOS栅介质材料；(g)在所述NMOS有源区表面第一指定位置刻蚀所述NMOS栅介质材料并采用离子注入工艺形成NMOS源漏区，在所述PMOS有源区表面第二指定位置处刻蚀所述PMOS栅介质材料并采用离子注入工艺形成PMOS源漏区；(h)在所述NMOS有源区表面异于所述NMOS源漏区和所述PMOS有源区表面异于所述PMOS源漏区分别生长栅极材料形成NMOS栅极和PMOS栅极；以及(i)金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件。