[发明专利]一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法，包括在激光器芯片的N面电极制备孔；将处理后的激光器芯片放置在金属板上，所述激光器芯片的含孔一面与所述金属板背离设置；采用808nm波长的激光对所述激光器芯片进行照射；将处理后的激光器芯片进行烘烤，温度范围120‑150℃，烘烤1‑2小时；对激光器芯片封装测试，完成制备。本发明所述消除波长双峰的808nm激光器，其结构简易，制作过程简单，通过在所述激光器芯片的N面电极上制备孔、后续采用激光照射和烘烤处理，进而减小激光器芯片受内部压应力影响，使激光器波长双峰减少，大大提高了激光器生产合格率。

主权项

消除波长双峰的808nm激光器的制备方法，其中所述消除波长双峰的808nm激光器，包括激光器芯片，在所述激光器芯片的N面电极上设置有延伸至外延衬底层的孔；所述孔横穿设置在所述激光器芯片的N面电极上，并嵌入所述外延衬底层内；其特征在于，该制备方法包括：(1)在激光器芯片的N面电极制备孔，去除孔对应的N面电极金属，直至裸露出所述激光器芯片的外延衬底层；(2)将经步骤(1)处理后的激光器芯片放置在金属板上，所述激光器芯片的含孔一面与所述金属板背离设置；(3)采用808nm波长的激光对所述激光器芯片进行照射；(4)将经步骤(3)处理后的激光器芯片进行烘烤，温度范围120‑150℃，烘烤1‑2小时；(5)对激光器芯片封装测试，完成制备。