[发明专利]高可靠性的蚀刻小面光子器件有效
申请号: | 201510541116.0 | 申请日: | 2006-02-17 |
公开(公告)号: | CN105207053B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | A·A·贝希尔 | 申请(专利权)人: | 镁可微波技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/028 | 分类号: | H01S5/028;H01S5/22 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了高可靠性的蚀刻小面光子器件。半导体光子器件表面被覆盖以电介质或金属保护层。保护层覆盖整个器件,包括在有源区小面附近的区域,以保护裸露或未经保护的半导体区,由此形成非常高可靠性蚀刻小面的光子器件。 | ||
搜索关键词: | 可靠性 蚀刻 光子 器件 | ||
【主权项】:
1.一种光子器件,包括:基板;在所述基板上的半导体结构;保护层;以及金属化层;所述半导体结构包括:顶表面;位于所述顶表面之下的有源层;位于所述有源层之下的被覆区;至少一个蚀刻小面,定义平行于脊的横截面并位于所述有源层附近的所述半导体结构的两个相对的端侧壁中的至少一个;以及至少一个蚀刻壁,定义所述半导体结构的除了所述蚀刻小面之外的其余两个相对的侧面中的至少一个;其中,所述保护层是由沉积的介电材料形成的单一连续层,其完全覆盖了所述蚀刻小面、所述蚀刻壁和除所述半导体结构的所述顶表面上由所述保护层所定义的触点窗之外的所述半导体结构的所述顶表面,其中,所述触点窗与所述蚀刻小面和所述蚀刻壁隔开并且并不延伸到所述蚀刻小面和所述蚀刻壁;其中,所述金属化层完全覆盖所述触点窗并且延伸到所述保护层之上以完全密封住所述触点窗。
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