[发明专利]一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺在审
| 申请号： | 201510541293.9 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105063753A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈良;熊巍;周尧;袁晖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，包括以下步骤：将原料硝酸钠于100～200℃烘干2～5小时后，装入坩埚中；将装料后的坩埚置于提拉炉中，经2～5小时将炉温升至350～450℃，并保温1～2h，使坩埚中的硝酸钠原料全部熔化，缓慢降低加热功率，当控制炉温为250～350℃时，将籽晶浸到熔体中，旋转籽晶并向上提拉，开始晶体生长，提拉速率为1.0～10mm/h，旋转速率为10～20r/min，固液界面的温度梯度为10～30℃/cm；根据晶体生长趋势，微量调整加热功率，完成放肩和等径过程，生长完毕，提出晶体使之脱离熔体，以20～50℃/h的降温速率使炉体冷却至室温并取出晶体。本发明晶体的热应力小，可减少晶体开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硝酸钠 提拉法 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，其特征在于，包括以下步骤：1）将原料硝酸钠于100～200℃烘干2～5小时后，装入坩埚中；2）将装料后的坩埚置于提拉炉中，经2～5小时将炉温升至350～450℃，并保温1～2h，使坩埚中的硝酸钠原料全部熔化，缓慢降低加热功率，当控制炉温为250～350℃时，将籽晶浸到熔体中，旋转籽晶并向上提拉，开始晶体生长，提拉速率为1.0～10mm/h，旋转速率为10～20r/min，固液界面的温度梯度为10～30℃/cm；根据晶体生长趋势，微量调整加热功率，完成放肩和等径过程，生长完毕，提出晶体使之脱离熔体，以20～50℃/h的降温速率使炉体冷却至室温并取出晶体。
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