[发明专利]一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液及清洗方法在审
| 申请号： | 201510541614.5 | 申请日： | 2015-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105154268A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 付红平;章金兵;彭也庆;李建 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C11D10/02 | 分类号： | C11D10/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液，包括碱、清洗剂和水，碱为氢氧化钠或氢氧化钾，碱在清洗液中的质量百分浓度为3％-12％，清洗剂在清洗液中的质量百分浓度为3％-6％。本发明还提供了一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗方法，包括以下步骤：(1)将切割后的硅片进行预处理，以去除硅片表面的杂质；(2)将经步骤(1)预处理后的硅片置于清洗液中，在40-60℃条件下清洗200s-500s；(3)将经步骤(2)清洗后的硅片进行水洗，干燥后得到表面损伤层厚度减少的硅片。本发明提供的清洗液成分简单，成本较低。本发明提供的清洗方法简单易行，可以有效地减少硅片的表面损伤层厚度，提高了硅片的机械性能，同时有助于硅片制备成电池后光电转换效率的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 硅片 表面 损伤 厚度 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液，其特征在于，包括碱、清洗剂和水，所述碱为氢氧化钠或氢氧化钾，所述碱在所述清洗液中的质量百分浓度为3％‑12％，所述清洗剂在所述清洗液中的质量百分浓度为3％‑6％。
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