[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 201510542329.5 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105390387B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 斋藤祐介;长友优;菱沼隼;髙山航;冨永翔;金子雄基 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中，交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法，其特征在于，包括：在等离子体处理装置的处理容器内准备具有设置于所述第一区域上和所述第二区域上的掩模的被处理体的步骤；在收纳有所述被处理体的所述处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在收纳有所述被处理体的所述处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤，交替反复进行生成所述第一处理气体的等离子体的所述步骤和生成所述第二处理气体的等离子体的所述步骤，在生成所述第一处理气体的等离子体的步骤中，所述多层膜的蚀刻率比所述单层的氧化硅膜的蚀刻率高，在生成所述第二处理气体的等离子体的步骤中，所述单层的氧化硅膜的蚀刻率比所述多层膜的蚀刻率高。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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