[发明专利]于非平面输出晶体管的非平面静电放电装置及其共同制造

摘要

本发明涉及用于非平面输出晶体管的非平面静电放电装置及其共同制造，其技术包括：提供非平面半导体结构，该结构包含具有属于n型或p型的阱的半导体基板。该所提供的非平面结构进一步包含耦合至该基板的一或数个增高半导体结构以及类型与该阱相反的一或数个各自包含源极、漏极及栅极的非平面晶体管，该非平面结构进一步包含在该一或数个增高结构上的一或数个寄生双载子接面晶体管(BJT)，各个BJT包含位于该增高结构上的集极及射极以及作为该阱的基极，以及包含用于该BJT的该基极的阱接触。技术进一步包含使该非平面晶体管的该漏极及该BJT的该集极电耦合至电路的输出，以及使该非平面晶体管的该源极、该BJT的该射极及该阱接触电耦合至该电路的接地。

主权项

一种方法，包含：提供非平面半导体结构，该结构包含：半导体基板，其包含属于第一类型的阱，该第一类型包含n型及p型中的一者；至少一个增高半导体结构，其耦合至该基板；非平面晶体管，其属于与该第一类型相反的第二类型，该晶体管位于该至少一个增高结构上，该非平面晶体管包含源极、漏极及栅极；以及寄生双载子接面晶体管(BJT)，其在该至少一个增高结构上，该BJT包含在该至少一个增高结构上的集极及射极以及含有该阱的基极；使该非平面晶体管的该漏极及该BJT的该集极电耦合至电路的输出；以及使该非平面晶体管的该源极及该BJT的该射极电耦合至该电路的接地。