[发明专利]多端口非易失性存储器设备及其存取方法有效
| 申请号： | 201510543004.9 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN105185406B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 哈里·M·拉奥;金正丕 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/16;G11C8/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及多端口非易失性存储器设备及其存取方法。在一特定实施例中，揭示一种多端口非易失性存储器装置，其包含电阻性存储器单元和耦合到所述电阻性存储器单元的多个端口。 | ||
| 搜索关键词： | 多端 非易失性存储器 设备 及其 存取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种系统，其包括：处理器；以及多端口存储器，其耦合到所述处理器，所述多端口存储器包括：包含第一非易失性存储器的第一存储器单元，所述第一非易失性存储器包括第一电阻性存储器结构，其中所述第一电阻性存储器结构串联耦合在第一组存取晶体管的第一存取晶体管和所述第一组存取晶体管的第二存取晶体管之间；包含第二非易失性存储器的第二存储器单元，所述第二非易失性存储器包括第二电阻性存储器结构，其中所述第二电阻性存储器结构串联耦合在第二组存取晶体管的第一存取晶体管和所述第二组存取晶体管的第二存取晶体管之间；第一端口和第二端口，其中所述第一端口和所述第二端口可操作以启用经由所述第一端口对所述第一存储器单元的第一存储器操作的执行，同时启用经由所述第二端口对所述第二存储器单元的第二存储器操作的执行，且其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元均可经由所述第一端口和所述第二端口来存取；及耦合到所述第一端口和所述第二端口的端口数据选择器，其中：所述端口数据选择器包括位线多路复用器、感测线多路复用器、位线写入电压多路复用器和感测线写入电压多路复用器；所述位线多路复用器经配置以至少部分基于所述位线写入电压多路复用器选择待施加于与所述第一端口相关联的位线的位线电压；以及所述感测线多路复用器经配置以至少部分基于所述感测线写入电压多路复用器选择待施加于与所述第一端口相关联的感测线的感测线电压；其中所述多端口存储器为包括多端口自旋力矩转移磁阻式随机存取存储器STT‑MRAM单元的寄存器堆。
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