[发明专利]一种具有复制单元字线电压抬升技术的SRAM时序控制电路

摘要

本发明公开了一种SRAM复制位线电路，包括时序复制电路模块与复制单元字线电压抬升模块；其中所述时序复制电路模块并联在复制单元字线与复制位线之间；所述复制单元字线电压抬升模块一端与时钟信号端相连，另一端与所述复制单元字线相连，用于将输入的时钟信号处理为高电压的电平信号，并传输给复制单元字线；复制单元字线的电压越大，放电单元电流及其偏差越大，从而使得时序控制电路延迟偏差越小。本发明提供的电路不仅在低电源电压下具有很好的抗工艺偏差能力，同时不会大幅度增加芯片的面积，且不影响芯片运行速度。

主权项

一种具有复制单元字线电压抬升技术SRAM时序控制电路，其特征在于，包括：时序复制电路模块与复制单元字线电压抬升模块；其中：所述时序复制电路模块并联在复制单元字线与复制位线之间；所述复制单元字线电压抬升模块一端与时钟信号端相连，另一端与所述复制单元字线相连，用于将输入的时钟信号处理为高电压的电平信号，并传输给复制单元字线；复制单元字线的电压越大，时序复制电路模块中复制单元电流及其偏差越大，从而使得时序控制电路延迟偏差越小；所述复制单元字线电压抬升模块包括：P1～P3三个MOS管、N1～N2两个MOS管、反相器INV与MOS电容；其中：P1管和N1管组成反相器1，其中，P1管端口1接VDD，端口2与N1管端口5接在一起连到时钟信号端，P1管端口3与N1管端口4接在一起连接到N2管端口11，N1管端口6接地；P2管与N2管一起构成反相器2，其中，P2管端口8与N2管端口11接在一起，P2管端口7与N2管端口10接在一起连到P3管端口14并与复制单元字线相连；P2管端口9接地，N2管12与P3管端口15接在一起连到MOS电容端口16；P3管端口13接电源VDD，MOS电容端口17接反相器INV输出端口18，反相器INV端口19接N2管端口11。