[发明专利]一种对ITO膜进行刻蚀的刻蚀液有效
申请号: | 201510544291.5 | 申请日: | 2014-04-30 |
公开(公告)号: | CN105038799B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 李子考 | 申请(专利权)人: | 盐城华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C09K13/00 | 分类号: | C09K13/00 |
代理公司: | 北京高航知识产权代理有限公司11530 | 代理人: | 赵永强 |
地址: | 224000 江苏省盐城市盐都*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种对ITO膜进行刻蚀的刻蚀液,由一种对ITO膜进行刻蚀的刻蚀液,其是由以下重量组分配制得到1.5重量份的1、2‑乙二磺酸,0.6重量份的三氟甲基磺酸,2.5重量份的亚乙基二胺四甲叉膦酸钠,7重量份的草酸,88.4重量份的蒸馏水。上述原料中三氟甲基磺酸是最强的有机酸,通过适量比例的各种酸混合搭配提高刻蚀速率,亚乙基二胺四甲叉膦酸钠具有极强的络合作用,可有效稳定络合各金属离子,1、2‑乙二磺酸和三氟甲基磺酸也能够与金属离子形成稳定的水溶性盐,有效解决金属离子易于与草酸沉淀形成残渣的问题,同时,该刻蚀液在刻蚀过程中不会产生气泡,大大提高蚀刻精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 ito 进行 刻蚀 | ||
【主权项】:
一种对ITO膜进行刻蚀的刻蚀液,其是由以下重量组分配制得到:1.5重量份的1,2‑乙二磺酸,0.6重量份的三氟甲基磺酸,2.5重量份的亚乙基二胺四甲叉膦酸钠,7重量份的草酸,88.4重量份的蒸馏水。
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