[发明专利]化学汽相沉积设备

摘要

本发明提供了化学汽相沉积设备。公开了化学汽相沉积(CVD)设备。该CVD设备包括处理腔室、基座、辅助支承部件、气体喷射部件和荫罩框架。基座可安装在所述处理腔室中，用于支承和加热母基板。辅助支承部件可以按四角形框架形式安装在所述基座上，用于支承和加热由所述基座支承的所述母基板的边缘。气体喷射部件可安装在所述处理腔室中，以面对所述基座，并且可将处理气体喷射到所述母基板。荫罩框架可覆盖所述辅助支承部件的边缘和从所述辅助支承部件的所述边缘延伸的所述基座的边缘。

主权项

一种化学汽相沉积CVD设备，该CVD设备包括：处理腔室；基座，其安装在所述处理腔室中，用于支承和加热母基板；辅助支承部件，其以四角形框架形式安装在所述基座上，用于支承和加热由所述基座支承的所述母基板的边缘；气体喷射部件，其安装在所述处理腔室中以面对所述基座，所述气体喷射部件将处理气体喷射到所述母基板；以及荫罩框架，其被配置成与所述母基板分隔开达一定间隔使得所述荫罩框架不覆盖所述母基板，并且覆盖所述辅助支承部件的边缘和从所述辅助支承部件的所述边缘延伸的所述基座的边缘。