[发明专利]一种SONOS器件中ONO结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种SONOS器件中ONO结构的制造方法，首先采用低压氧化工艺在硅衬底上形成预设厚度的隧穿氧化层；接着对隧穿氧化层进行掺氮，且掺氮浓度随着隧穿氧化层的深度逐渐递减；然后在隧穿氧化层的上方形成用于存储电荷的氮化硅层；最后采用化学气相沉积工艺形成阻挡氧化层。本发明在隧穿氧化层中，由于掺氮浓度随着氧化层深度逐渐递减，因此使得整体隧穿氧化层能级也呈平缓递减，当器件处在写入状态时，由于能带在外电场下发生偏转，从而电子发生隧穿时通过的势垒区仍与普通SONOS器件相同，从而保证了擦写速度的要求。同时，在可靠性测试时，需要高温进行烘烤，由于梯度隧穿层的作用，电子逃逸更难以实现，从而保证了SONOS器件的数据保存能力。

主权项

1.一种SONOS器件中ONO结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、采用低压氧化工艺在硅衬底上形成预设厚度的隧穿氧化层；步骤S02、对所述隧穿氧化层进行掺氮，且所述掺氮浓度随着所述隧穿氧化层的深度逐渐递减，使得整体隧穿氧化层能级从所述隧穿氧化层的上表面往下也呈平缓递减；步骤S03、在所述隧穿氧化层的上方形成用于存储电荷的氮化硅层；步骤S04、在所述氮化硅层的上方，采用化学气相沉积工艺形成阻挡氧化层。