[发明专利]一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法有效
| 申请号： | 201510547788.2 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105159031B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘必秋;毛智彪;甘志锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，首先提供一表面具有高度梯度的晶圆模板，其中，晶圆模板被划分为至少两个不同表面高度的区域，区域包括至少一个曝光单元；接着在具有高度梯度的晶圆模板上形成厚度渐变的光刻胶膜；然后对晶圆模板的各个区域进行逐个曝光和显影，并测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸；最后根据不同厚度光刻胶对应的关键尺寸，制作光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本发明制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法大大降低了成本，且节省了工艺时间，通过晶圆模板的高度梯度将图形转移到光刻胶膜上可控性好，光刻胶膜的变化空间大，且适合不同区间范围的光刻胶膜厚和关键尺寸关系曲线的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 光刻 厚度 关键 尺寸 关系 曲线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S01、提供一表面具有高度梯度的晶圆模板，其中，所述晶圆模板被划分为至少两个不同表面高度的区域，所述区域包括至少一个曝光单元；其中，各所述区域内由单个所述曝光单元组成，或者由多个所述曝光单元组成，且所述曝光单元在所述晶圆模板内随机组合，所述晶圆模板在表面形成高度梯度之前，每次涂胶后，只需在一个所述区域曝光，其他所述区域不曝光，显影后，留下该所述区域的刻蚀模板，调节每个所述区域的刻蚀工艺参数，使得每个所述区域刻蚀的深度梯度变化，得到所述表面具有高度梯度的晶圆模板；/n步骤S02、在具有高度梯度的晶圆模板上形成厚度渐变的光刻胶膜，并测量光刻胶膜的膜厚分布；/n步骤S03、对所述晶圆模板的各个区域进行逐个曝光和显影，并测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸；/n步骤S04、根据不同厚度光刻胶对应的关键尺寸，制作光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。/n
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