[发明专利]对称侧向双载子接面晶体管及特征化和保护晶体管的用途有效
| 申请号： | 201510549046.3 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105403822B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | B·塞纳珀蒂;J·辛格 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及对称侧向双载子接面晶体管及特征化和保护晶体管的用途，其提供一种对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)。该SLBJT包含p型半导体基板、n型井、位于该n型井中的SLBJT的射极、位于该n型井中且在该基极的一侧与该射极以一距离隔开的SLBJT的基极、位于该n型井中且在该基极的另一侧与该基极以该距离隔开的SLBJT集极，以及通到在该n型井外的该基板的电气连线。该SLBJT通过使该SLBJT电气耦合至该测试晶体管的栅极、施加电压至该栅极、以及特征化该测试晶体管在该施加电压下的一或数个态样，从而用来特征化电路中的晶体管。该SLBJT保护该栅极以免该栅极介电质受损。 | ||
| 搜索关键词： | 双载子接面晶体管 侧向 特征化 晶体管 对称 测试晶体管 施加电压 隔开 射极 特征化电路 栅极介电质 电气耦合 基板 集极 连线 受损 | ||
【主权项】：
1.一种对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)，包含：p型半导体基板；至少一个井；第一植入区，其属于第一类型且用于对称侧向双载子接面晶体管(SLBJT)的射极，该第一植入区位于该至少一个井的其中一者中，以及该第一类型为n型与p型的其中一者；第二植入区，其属于与该第一类型相反的第二类型且用于该SLBJT的基极，该第二植入区位于该至少一个井中且在该基极的第一侧与该射极以一距离隔开；第三植入区，其属于该第一类型且用于该SLBJT的集极，该第三植入区位于该至少一个井中且在该基极与该第一侧相反的第二侧与该基极以该距离隔开；以及p型植入区，其用于电气耦合至该基板，该p型植入区位于该至少一个井外。
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