[发明专利]一种黑硅钝化结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510551032.5 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105226114A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 沈鸿烈;蒋晔;唐群涛 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于原子层沉积(ALD)法对黑硅进行钝化的结构及其制备方法。其制备方法包括：(1)利用金属辅助化学腐蚀(MACE)技术，在硅片表面制备黑硅结构；(2)采用H2SO4+H2O2或者H2O或者HNO3溶液对黑硅表面进行液相预处理，形成薄的氧化层；(3)采用ALD沉积氧化铝薄膜进行钝化；(4)采用快速热退火(RTP)技术进行退火处理。最后形成一种极薄氧化硅膜和氧化铝薄膜构成的双层钝化结构。本发明是一种用于原子层沉积钝化黑硅结构的液相预处理方法，能有效提高黑硅的少子寿命，并进一步降低反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于原子层沉积法钝化黑硅的结构，其特征在于这个钝化结构是结合在硅片表面采用液相技术制备极薄的氧化硅薄膜和原子层沉积法制备的氧化铝薄膜构成的双层结构。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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