[发明专利]一种多晶黑硅结构及其液相制备方法

摘要

本发明公开一种用于高效太阳电池的多晶黑硅结构及其液相制备方法。其制备方法包括(1)对硅片进行预清洗；(2)利用金属辅助化学腐蚀(MACE)技术，在硅片表面制备黑硅结构；(3)采用NSR(Nano‑Structure‑Rebuilding)溶液对黑硅结构进行优化处理。最后形成一种易于钝化的均匀分布的倒金字塔结构。本发明是一种利用NSR溶液对黑硅结构进行优化处理的方法，在高转换效率的多晶黑硅太阳电池制备中有巨大的应用潜力。

主权项

一种用于太阳电池制作的多晶黑硅结构的液相制备方法，其特征在于该结构是通过金属辅助化学腐蚀法结合NSR溶液扩孔获得的纳米级均匀分布的倒金字塔结构，在具备减反射效果的同时易于钝化，用于制备多晶黑硅太阳电池，该制备方法包括如下步骤：(1)、对多晶硅片表面进行清洗，将所述多晶硅片表面浸入溶液一中沉积一层银纳米颗粒，纳米颗粒大小为50nm左右，溶液温度为室温；(2)、将沉积完银纳米颗粒的多晶硅片浸入溶液二中进行腐蚀，得到孔径50‑100nm，孔深500nm的纳米孔洞结构多晶黑硅片，溶液温度为室温；(3)、将腐蚀完的多晶黑硅片浸入溶液三中进行清洗，去除残留银纳米颗粒，溶液温度为室温；(4)、将制备好的多晶黑硅片浸入NSR溶液中腐蚀扩孔；NSR溶液的组成为40％NH4F∶H2O2＝1∶1‑1∶4，浓度为50％‑100％，反应温度为30‑60℃，反应时间为60‑600s；制备得到边长100‑500nm，深度100‑500nm的均匀分布的倒金字塔多晶黑硅结构。