[发明专利]一种高品质因数电容制造方法在审
| 申请号： | 201510551283.3 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105118771A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 郑涛;罗乐;徐高卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高品质因数电容制造方法，该制造方法至少包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面的掩膜层上形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板；在所述硅基板正面的掩膜层上形成下电极；在所述下电极上沉积介质层并图形化以暴露部分下电极；E.在所述介质层上形成上电极并图形化后暴露部分介质层和下电极；去除所述深坑结构底部剩余的薄硅基板。本发明用简单的工艺实现了新颖的结构以得到Q值的成倍提高。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空MIM电容以下的硅衬底，从而抑制硅基板损耗，提高电容Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 品质因数 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高品质因数电容制造方法，其特征包括：该制造方法至少包括以下步骤：A.提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面的掩膜层上形成腐蚀窗口；B.沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板；C.在所述硅基板正面的掩膜层上形成下电极；D.在所述下电极上沉积介质层并图形化以暴露部分下电极；E.在所述介质层上形成上电极并图形化后暴露部分介质层和下电极；F.去除所述深坑结构底部剩余的薄硅基板，释放电容结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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