[发明专利]一种太阳电池发射极的制备方法在审
| 申请号： | 201510552322.1 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105226111A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 金井升;蒋方丹;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳电池发射极的制备方法，包括：A)将硅片进行制绒、扩散与刻蚀处理，得到预处理的硅片；B)利用臭氧氧化预处理的硅片，在表面形成氧化层，然后利用氢氟酸溶液去除氧化层，得到太阳电池发射极。与现有技术相比，本发明在常温下利用臭氧氧化预处理的硅片，可在其表面形成氧化层，然后再利用氢氟酸溶液去除氧化层，可有效去除发射极的死层，改善太阳电池的短波光谱响应，提高电池效率，且该方法简单可控，不会显著增加生产成本，适合大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 发射极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳电池发射极的制备方法，包括：A)将硅片进行制绒、扩散与刻蚀处理，得到预处理的硅片；B)利用臭氧氧化预处理的硅片，在表面形成氧化层，然后利用氢氟酸溶液去除氧化层，得到太阳电池发射极。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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