[发明专利]封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 201510552405.0 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105118843B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王之奇;洪方圆 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡杰赟;吴敏 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种封装结构和封装方法，所述封装结构包括：芯片单元，所述芯片单元的第一表面包括感应区域；上盖板，所述上盖板的第一表面具有支撑结构，所述上盖板覆盖所述芯片单元的第一表面，所述支撑结构位于所述上盖板和所述芯片单元之间，且所述感应区域位于所述支撑结构和所述芯片单元的第一表面围成的空腔之内；其中，所述上盖板具有预设厚度，使得从所述上盖板的侧壁反射的光线不能直接照射所述感应区域。本发明的封装结构和封装方法可以减少入射至所述感应区域的干扰光线。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构，其特征在于，包括：芯片单元，所述芯片单元的第一表面包括感应区域；上盖板，所述上盖板的第一表面具有支撑结构，所述上盖板覆盖所述芯片单元的第一表面，所述支撑结构位于所述上盖板和所述芯片单元之间，且所述感应区域位于所述支撑结构和所述芯片单元的第一表面围成的空腔之内；其中，所述上盖板具有预设厚度，使得从所述上盖板的侧壁反射的光线不能直接照射所述感应区域，所述预设厚度基于所述感应区域的宽度，所述支撑结构的宽度和高度确定，所述预设厚度为50μm～200μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
