[发明专利]具有单层栅极的非易失性存储装置

摘要

一种非易失性存储装置包括：有源区域，在第一方向上延伸；第一单层栅极，与所述有源区域交叉并且在第二方向上延伸；第二单层栅极，与所述有源区域交叉并且在所述第二方向上延伸；以及选择栅极，与所述有源区域交叉。所述选择栅极包含：第一选择栅极主线和第二选择栅极主线，其与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极和第二单层栅极平行；选择栅极互连线，将所述第一选择栅极主线的第一端连接至所述第二选择栅极主线的第一端；以及选择栅极延伸部，其从所述选择栅极互连线的一部分延伸以被设置在所述第一单层栅极和第二单层栅极的第一端之间。

主权项

一种非易失性存储装置，包括：有源区域，在第一方向上延伸；第一单层栅极，与所述有源区域交叉并且在第二方向上延伸；第二单层栅极，与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极在所述第一方向上间隔开，并且在所述第二方向上延伸；以及选择栅极，包含：第一选择栅极主线和第二选择栅极主线，其与所述有源区域交叉以与所述第一单层栅极和第二单层栅极平行；选择栅极互连线，其将所述第一选择栅极主线的第一端连接至所述第二选择栅极主线的第一端；以及选择栅极延伸部，其从所述选择栅极互连线的一部分延伸以被设置在第一单层栅极和第二单层栅极的第一端之间，其中所述第一选择栅极主线处于所述第一单层栅极的与所述第二单层栅极相对的侧边；以及其中所述第二选择栅极主线处于所述第二单层栅极的与所述第一单层栅极相对的侧边。