[发明专利]一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510557886.4 申请日: 2015-09-01
公开(公告)号: CN105261706B 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 苏仕健;陈东成;曹镛 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 罗啸秋
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于有机光电材料技术领域,公开了一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法。所述二极管包括依次层叠的衬底、阳极、P型有机半导体层、N型有机半导体层和阴极;所述的P型有机半导体层和N型有机半导体层中至少有一层掺杂荧光材料。P型有机半导体层由能够较好传导空穴的有机半导体材料构成,N型有机半导体层由能够较好传导电子的有机半导体材料构成。本发明的有机荧光发光二极管的电致发光光谱来源于所掺杂的有机荧光材料,具备较低的驱动电压以及较高的发光效率,理论内量子效率可以达到100%,具有良好的应用前景。
搜索关键词: 发光二极管 有机荧光 有机半导体材料 异质结 敏化 传导 制备 空穴 阴极 电致发光光谱 有机光电材料 有机荧光材料 内量子效率 二极管 阳极 发光效率 驱动电压 依次层叠 荧光材料 掺杂的 衬底 掺杂 应用
【主权项】:
1.一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管,其特征在于:包括依次层叠的衬底、阳极、P型有机半导体层、N型有机半导体层和阴极;所述的P型有机半导体层和N型有机半导体层中至少有一层掺杂荧光材料;所述的P型有机半导体层的制备材料为TAPC和TCTA中的一种或两种的共混:所述的N型有机半导体层的制备材料为TmPyTZ:所述的荧光掺杂材料为具有以下(a)~(i)分子结构式材料中的一种或两种以上的共混:
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