[发明专利]一种用于背钝化太阳电池的叠层膜及其制备方法以及一种背钝化太阳电池在审
| 申请号： | 201510559052.7 | 申请日： | 2015-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN105161547A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 金井升;蒋方丹;许佳平;孙海杰 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于背钝化太阳电池的叠层膜，包括依次复合于硅片表面的第一氧化硅层、第二氧化硅层、氮化硅层和第三氧化硅层。本发明提供的背钝化太阳电池的四层叠层膜可以增强钝化效果和内反射效果，提高太阳电池的开路电压和短路电流，提高太阳电池转换效率。该叠层膜实现方式简单，可以降低背钝化太阳电池的生产成本，适合于大规模生产。结果表明，采用本发明提供的用于背钝化太阳电池的叠层膜制备的P型多晶硅背钝化太阳电池的转换效率达到19％以上，开路电压大于或等于645mV，短路电流大于或等于37.69mA/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 钝化 太阳电池 叠层膜 及其 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种用于背钝化太阳电池的叠层膜，其特征在于，包括依次复合于硅片表面的第一氧化硅层、第二氧化硅层、氮化硅层和第三氧化硅层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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