[发明专利]等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法

摘要

提供一种等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法，针对等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)产生的达不到生产指标要求的单晶硅片进行二次制绒及返工处理，以达到提高整线的良率，降低生产成本，以及减少资源的浪费的目的。

主权项

等离子体增强化学气相沉积法产生的不合格单晶硅片处理方法，其特征在于包含下述步骤：1)对等离子体增强化学气相沉积法产生的达不到生产指标要求的单晶硅片进行酸洗去除氮化硅膜；2)二次制绒前预清洗；3)碱液二次制绒；4)将二次制绒后的单晶硅片进行水洗，酸洗，再水洗，然后热水空气干燥，最后烘干；5)对单晶硅片的扩散、去磷硅玻璃、等离子体增强气象化学沉积、丝网印刷和激光刻蚀的方法均按照常规工艺执行；6)通过测试分选合格的单晶硅片；上述步骤1)中，将需要处理的单晶硅片浸泡于10％‑20％浓度的氢氟酸溶液中15‑30min，反应温度60℃，在这个过程中保证需要处理的单晶硅片完全浸泡于氢氟酸液之中并且保持液体的循环，每处理100片单晶硅片需要补充80ml‑100ml纯水，15ml‑20ml氢氟酸；之后依次对单晶硅片进行5‑10min的水洗，3‑5min的热水空气干燥以及5‑10min的烘干，其中热水空气干燥分为热水浸泡1‑3min和热空气干燥1‑3min两部分，其热水浸泡的温度为60℃，烘干温度为80℃,可以得到完全去除了表面氮化硅膜的单晶硅片；上述步骤2)中，将需要处理的单晶硅片完全浸泡于5％‑10％浓度的异丙醇溶液3‑5min，反应温度60‑70℃，每处理100片单晶硅片需要补充500ml‑800ml纯水以及30ml‑70ml异丙醇；上述步骤3)中，将经过预清洗的单晶硅片完全浸泡于氢氧化钾、碱制绒添加剂和纯水的混合液中，其中氢氧化钾浓度为2％‑5％，碱制绒添加剂浓度为0.2％‑0.5％，保持液体循环持续5‑15min，反应温度80℃，每处理100片单晶硅片补充500ml‑1000ml纯水，100ml‑150ml氢氧化钾和5ml‑10ml碱制绒添加剂；上述步骤4)中，其中第一次水洗5‑10min；酸洗为氢氟酸与盐酸的混合液，时间3‑5min，其中氢氟酸浓度为4％‑6％，盐酸浓度为10％‑15％，每处理100片单晶硅片需要补充40ml‑50ml纯水、5ml‑10ml氢氟酸和10ml‑15ml盐酸；第二次水洗时间为5‑10min；热水空气干燥为热水浸泡1‑3min和热空气干燥1‑3min两部分，其温度为60℃；烘干时间为5‑10min，其温度为80℃。