[发明专利]垂直紫外线发光装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201510561176.9 | 申请日： | 2015-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN105428487A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 黄晶焕;韩昌锡;张彰槿;金华睦 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/44;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 马翠平;王秀君 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直紫外线发光装置及其制造方法。所述垂直紫外线发光装置包括：包括A1的p型半导体层；设置在p型半导体层上且包括Al的有源层；设置在有源层上且包括Al的n型半导体层；设置在n型半导体层上且掺杂有n型的金属接触层；以及形成在金属接触层上的衬垫，其中金属接触层具有比n型半导体层的Al含量低的Al含量。根据本发明的示例性实施例，金属接触层形成在n型半导体层上以允许金属接触层而不是包括AlGaN的n型半导体层充当接触层，从而有效地提高了垂直紫外线发光装置的n型接触特性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 紫外线 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直紫外线发光装置，所述垂直紫外线发光装置包括：p型半导体层，包括Al；有源层，设置在所述p型半导体层上且包括所述Al；n型半导体层，设置在所述有源层上且包括所述Al；金属接触层，设置在所述n型半导体层上且掺杂有n型；以及衬垫，形成于所述金属接触层上，其中所述金属接触层具有比所述n型半导体层的Al含量低的Al含量。
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