[发明专利]保护覆盖膜的覆盖方法有效
| 申请号： | 201510561179.2 | 申请日： | 2015-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN105405753B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 曾良大树 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供保护覆盖膜的覆盖方法，无论晶片的正面形状如何，都能够在晶片的正面均匀地形成保护覆盖膜。保护覆盖膜的覆盖方法构成为包括：树脂片载置工序，由膜状的树脂片(10)覆盖晶片(W)的正面整个区域；贴合工序，将在树脂片载置工序中覆盖了晶片的正面整个区域的树脂片贴紧于正面而贴合树脂片；以及硬化工序，使经过了贴合工序的树脂片硬化，根据本方法，在晶片的正面形成与树脂片的厚度对应的保护覆盖膜。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 覆盖 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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