[发明专利]一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法，该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II；忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极，记为部件A；在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜，记为部件B；将部件A和部件B以任意角度接触，在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点，有利于推动电子产品的轻型化发展；与现有的CMOS工艺兼容，且其制备方法简单，生产效率高，成本低，满足大规模生产的需求，具有产业化价值。

主权项

1.一种基于纤维衬底的忆阻器，其特征在于，由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II；所述的柔性纤维衬底I和柔性纤维衬底II由金属涂层纤维构成；所述忆阻器通过以下方法制备得到：在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极，记为部件A；在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜，记为部件B；将部件A和部件B以任意角度接触，在接触处形成忆阻器；所述的隔离层I和隔离层II由TiN、TaN、MoN和WN中的任意一种材料构成；所述的上电极和下电极各自独立地由石墨烯、Cu、Ag、W、Pt、Au、Ta、TaN、Ti、TiN、Pd、导电碳材料、导电有机材料中的任意一种材料构成；所述的存储介质层薄膜是由NiO、Dy2O3、La2O3和Gd2O3中的任意一种材料构成。